mje18604d2 Freescale Semiconductor, Inc, mje18604d2 Datasheet
mje18604d2
Manufacturer Part Number
mje18604d2
Description
Power Transistors 3 Amperes 1600 Volts 100 Watts
Manufacturer
Freescale Semiconductor, Inc
Datasheet
1.MJE18604D2.pdf
(6 pages)
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Advance Information
High Speed, High Gain Bipolar
NPN Power Transistor with
Integrated Collector-Emitter
Diode and Built-in Efficient
Antisaturation Network for
1600 V Applications
Tight dynamic characteristics and lot to lot low spread ( 150 ns on storage time) make
it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no more a need to
guarantee an h fe window.
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle
This document contains information on a new product. Specifications and information herein are subject to change without notice.
Designer’s and SWITCHMODE are trademarks of Motorola, Inc.
©
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector–Emitter Sustaining Voltage @ R = 200
Collector–Base Breakdown Voltage
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Emitter–Base Voltage
Collector Current — Continuous
Base Current — Continuous
Base Current
*Total Device Dissipation @ T C = 25 _ C
Operating and Storage Temperature
Thermal Resistance — Junction to Case
Thermal Resistance
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes:
The MJE18604D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP).
Main features:
Motorola, Inc. 1995
Low Base Drive Requirement
High DC Current Gain (30 Typical) @ I C = 400 mA
Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the Internal Active
Antisaturation (H2BIP) Structure which Minimizes the Spread
Integrated Collector–Emitter Free Wheeling Diode Matched with the Power
Transistor
Fully Characterized and Guaranteed Dynamic V CE(sat)
“6 Sigma” Process Providing Tight and Reproductible Parameter Spreads
*Derate above 25 C
1/8 from case for 5 seconds
— Peak (1)
— Peak (1)
— Junction to Ambient
Rating
10%.
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Symbol
T J , T stg
V CEO
V CER
V CBO
V EBO
V CES
R JC
R JA
I CM
I BM
P D
T L
I C
I B
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
– 65 to 150
MJE18604D2
Value
1600
1600
1.25
62.5
800
800
100
260
0.8
POWER TRANSISTORS
12
3
8
2
4
CASE 221A–06
3 AMPERES
1600 VOLTS
100 WATTS
Order this document
TO–220AB
by MJE18604D2/D
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
W/ _ C
_ C/W
Unit
Watt
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
_ C
_ C
1
Related parts for mje18604d2
Image
Part Number
Description
Manufacturer
Datasheet
Request
R
Part Number:
Description:
Manufacturer:
Freescale Semiconductor, Inc
Datasheet:
Part Number:
Description:
Manufacturer:
Freescale Semiconductor, Inc
Datasheet:
Part Number:
Description:
Manufacturer:
Freescale Semiconductor, Inc
Datasheet:
Part Number:
Description:
Manufacturer:
Freescale Semiconductor, Inc
Datasheet:
Part Number:
Description:
Manufacturer:
Freescale Semiconductor, Inc
Datasheet:
Part Number:
Description:
Manufacturer:
Freescale Semiconductor, Inc
Datasheet:
Part Number:
Description:
Manufacturer:
Freescale Semiconductor, Inc
Datasheet:
Part Number:
Description:
Manufacturer:
Freescale Semiconductor, Inc
Datasheet:
Part Number:
Description:
Manufacturer:
Freescale Semiconductor, Inc
Datasheet:
Part Number:
Description:
Manufacturer:
Freescale Semiconductor, Inc
Datasheet:
Part Number:
Description:
Manufacturer:
Freescale Semiconductor, Inc
Datasheet:
Part Number:
Description:
Manufacturer:
Freescale Semiconductor, Inc
Datasheet:
Part Number:
Description:
Manufacturer:
Freescale Semiconductor, Inc
Datasheet:
Part Number:
Description:
Manufacturer:
Freescale Semiconductor, Inc
Datasheet:
Part Number:
Description:
Manufacturer:
Freescale Semiconductor, Inc
Datasheet:
mje18604d2 Summary of contents
Page 1
... Antisaturation Network for 1600 V Applications The MJE18604D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP). Tight dynamic characteristics and lot to lot low spread ( 150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no more a need to guarantee window ...
Page 2
... MJE18604D2 Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ...
Page 3
... 25° Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î MJE18604D2 Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ...
Page 4
... MJE18604D2 Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ...
Page 5
... SEATING –T– PLANE CASE 221A–06 TO–220AB ISSUE Y MJE18604D2 NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH. 3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE ALLOWED. INCHES MILLIMETERS DIM MIN MAX MIN ...
Page 6
... JAPAN: Nippon Motorola Ltd.; Tatsumi–SPD–JLDC, Toshikatsu Otsuki, 6F Seibu–Butsuryu–Center, 3–14–2 Tatsumi Koto–Ku, Tokyo 135, Japan. 03–3521–8315 HONG KONG: Motorola Semiconductors H.K. Ltd.; 8B Tai Ping Industrial Park, 51 Ting Kok Road, Tai Po, N.T., Hong Kong. 852–26629298 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data *MJE18604D2/D* MJE18604D2/D ...