tpcc8005-h TOSHIBA Semiconductor CORPORATION, tpcc8005-h Datasheet
tpcc8005-h
Manufacturer Part Number
tpcc8005-h
Description
???????????? ????N????MOS? (U-MOS?-H)
Manufacturer
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet
1.TPCC8005-H.pdf
(7 pages)
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Part Number:
TPCC8005-H
Manufacturer:
TOSHIBA/东芝
Quantity:
20 000
○ 高効率 DC-DC コンバータ用
○ ノートブック PC 用
○ 携帯電子機器用
•
•
•
•
•
•
•
絶対最大定格
小型, 薄型で実装面積が小さい。
スイッチングスピードが速い。
ゲート入力電荷量が小さい。
オン抵抗が低い。 : R
順方向伝達アドミタンスが高い。
漏れ電流が低い。 : I
取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。
ド レ イ ン ･ ソ ー ス 間 電 圧
ド レ イ ン ･ ゲ ー ト 間 電 圧
(R
ゲ ー ト ･ ソ ー ス 間 電 圧
ド レ イ ン 電 流
許
許
許
ア バ ラ ン シ ェ エ ネ ル ギ ー ( 単 発 )
ア
ア バ ラ ン シ ェ エ ネ ル ギ ー ( 連 続 )
チ
保
注:
この製品は MOS 構造です。取り扱いの際には, 静電気にご注意ください。
GS
バ
= 20 kΩ)
容
容
(注 1) , (注 2) , (注 3) , (注 4) は次項を参照ください。
本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内で
の使用においても, 高負荷 (高温および大電流/高電圧印加, 多大
な温度変化等) で連続して使用される場合は, 信頼性が著しく低下
するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いお
よびディレーティングの考え方と方法) および個別信頼性情報 (信
頼性試験レポート, 推定故障率等) をご確認の上, 適切な信頼性設
計をお願いします。
ャ
容
ラ
損
損
存
項
ネ
損
ン
東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 (U-MOSⅥ-H)
失 (t = 10 s) (注 2a)
失 (t = 10 s) (注 2b)
(Ta = 25°C)
シ
: Q
: |Y
: V
(Tc = 25℃) (注 4)
ル
失 (Tc = 25℃)
DSS
目
D
パルス
DS (ON)
th
温
SW
fs
ェ
= 1.3~2.3 V (V
| = 79 S (標準)
= 9.1 nC (標準)
= 10 μA (最大) (V
C
温
電
(注 3)
(注 1)
(注 1)
= 5.2 mΩ (標準) ( V
流
度
度
TPCC8005-H
記 号
DS
V
V
V
E
E
T
I
I
T
P
P
P
DGR
GSS
DSS
I
DP
AR
AS
AR
stg
D
ch
D
D
D
= 10 V, I
DS
= 30 V)
GS
D
定
−55~150
= 4.5 V)
= 0.5 mA)
2.74
±20
176
150
1.9
0.7
30
30
26
78
30
26
1
格
単位
mJ
mJ
°C
°C
W
W
W
V
V
V
A
A
質量: 0.02 g (標準)
回路構成
JEDEC
JEITA
東 芝
1,2,3:ソース
5,6,7,8:ドレイン
8
1
7
2
TPCC8005-H
2-3X1A
4:ゲート
6
3
2009-07-15
⎯
⎯
単位: mm
5
4
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Image
Part Number
Description
Manufacturer
Datasheet
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R
Part Number:
Description:
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Datasheet:
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TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA GTR MODULE SILICON N−CHANNEL IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Description:
TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Part Number:
Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
tpcc8005-h Summary of contents
Page 1
... 176 流 2.74 AR 度 T 150 ch −55~150 度 T stg 1 TPCC8005 1,2,3:ソース 4:ゲート A 5,6,7,8:ドレイン ⎯ JEDEC W ⎯ JEITA W 2-3X1A 東 芝 W 質量: 0.02 g (標準 回路構成 mJ °C ...
Page 2
... R 4.2 °C/W th (ch- °C/W th (ch-a) R 180 °C/W th (ch-a) (b) ガラスエポキシ基板 (b) FR-4 (Unit: mm Ω TPCC8005-H FR-4 25.4 × 25.4 × 0.8 (Unit: mm) (b) 2009-07-15 ...
Page 3
... ≒ (Ta = 25°C) 記 号 測 定 条 件 ⎯ I DRP = DSF TPCC8005-H 最小 標準 最大 ⎯ ⎯ ±100 ⎯ ⎯ 10 ⎯ ⎯ 30 ⎯ ⎯ 15 ⎯ 1.3 2.3 ⎯ 5.2 7.4 ⎯ ...
Page 4
... V (V) 10 ソース接地 25°C パルス測定 1 100 0.1 4 TPCC8005-H I – ソース接地 25°C 3.3 パルス測定 3.2 3.1 3 ...
Page 5
... C iss 1.5 C oss 1.0 C rss ソース接地 0 0.5 mA パルス測定 0 −80 −40 100 ( TPCC8005-H I – 4 −0.2 −0.4 −0.6 −0.8 −1.0 ( – 120 160 周囲温度 Ta (°C) ...
Page 6
... – 0.01 0 パルス幅 160 100 (V) 6 TPCC8005-H (2) (1) (3) 単発パルス 100 1000 P – 120 160 ケース温度 Tc (°C) 2009-07-15 ...
Page 7
... TPCC8005-H 2009-07-15 ...