PHMB1200B12_1 NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation], PHMB1200B12_1 Datasheet

PHMB1200B12_1

Manufacturer Part Number

PHMB1200B12_1

Description

1200A 1200V

Manufacturer

NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation]

Datasheet

1.PHMB1200B12_1.pdf (3 pages)

Current page: 1 of 3
Download datasheet (198Kb)

ＩＧＢＴ

□ 回路図：

□ 最大定格：

□ 電気的特性：

□フリーホイーリングダイオードの特性：

□ 熱的特性：

コレクタ・エミッタ間電圧

Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage

ゲート・エミッタ間電圧

Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage

コレクタ電流

Ｃollector Ｃurrent

コレクタ損失

Ｃollector Ｐower Ｄissipation

接

Ｊunction Ｔemperature Ｒange

保

Ｓtorage Ｔemperature Ｒange

絶

Ｉsolation Ｖoltage

締め付けトルク

Ｍounting Ｔorque

コレクタ遮断電流

Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent

ゲート漏れ電流

Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage

ゲートしきい値電圧

Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage

入

Ｉnput Ｃapacitance

スイッチング時間

Ｓwitching Ｔime

順

Ｆorward Ｃurrent

順

Ｐeak Ｆorward Ｖoltage

逆回復時間

Ｒeverse Ｒecovery Ｔime

熱

Ｔhermal Ｉmpedance

(E)

(G)

縁

力

合

存

電

抵

電

耐

容

ＣＩＲＣＵＩＴ

(E)

温

Ｍｏｄｕｌｅ

Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ

圧

抗

ＭＡＸＩＭＵＭＲＡＴＩＮＧＳ

圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)

量

流

ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ

ＴＨＥＲＭＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ

度

Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink

Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal

上昇時間Ｒise

ターンオン時間Ｔurn-on Ｔime

下降時間Ｆall

ターンオフ時間Ｔurn-off Ｔime

－Ｓｉｎｇｌｅ

Ｉｔｅｍ

(C)

ＦＲＥＥＷＨＥＥＬＩＮＧＤＩＯＤＥＲＡＴＩＮＧＳ＆ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ

ＩＧＢＴ

１ｍｓ

Ｄiode

ＤＣ

（Ｔ

Ｔime

１２００Ａ，１２００Ｖ

Ｃ

＝２５℃）

日本インター株式会社

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｖ

Ｒth(j-c)

Ｖ

□ 外形寸法図：

ＣＥ（ｓａｔ）

Ｖ

Ｔ

Ｖ

Ｆ

Ｉ

Ｃ

ｔ

ＧＥ（ｔｈ）

Ｉ

ｔ

Ｉ

ｔ

Ｉ

Ｐ

Ｔ

ｔ

Ｉ

Ｖ

ＣＥＳ

ＧＥＳ

ｓｔｇ

ＩＳＯ

ｔｏｒ

ＣＥＳ

ＧＥＳ

ｉｅｓ

ｏｆｆ

ＣＰ

ｏｎ

ＦＭ

ｒｒ

Ｃ

ｊ

ｒ

ｆ

Ｆ

（Ｔ

Ｖ

Ｉ

Ｖ

Ｒ

Ｖ

Ｉ

ｄi/ｄt= 2400A/μs

Junction to Case

Ｃ

ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ

ＣＥ

ＧＥ

Ｃ

ＣＥ

ＣＣ

ＧＥ

Ｆ

= 0.5Ω

= 0.33Ω

＝２５℃）

= 1200A,Ｖ

Ｍ４

Ｍ８

= 1200V,Ｖ

= ±20V,Ｖ

= 5V,Ｉ

= 10V,Ｖ

= 600V

= ±15V

ＯＵＴＬＩＮＥＤＲＡＷＩＮＧ

Ｃ

LABEL

= 1200mA

ＧＥ

130

110

ＧＥ

ＣＥ

= 0V,ｆ= 1MH

= 15V

= 0V

= -10V

= 0V

ＲａｔｅｄＶａｌｕｅ

－４０～＋１５０

－４０～＋１２５

１０.５（１０７）

１.４（１４.３）

１，２００

２，４００

５，６００

１，２００

２，４００

２,５００

Ｚ

ＰＨＭＢ１２００Ｂ１２

３（３０.６）

±２０

Ｍｉｎ.

－

４

－

Ｔｙｐ.

100,000

０.２５

０.４０

０.２５

１.００

Ｔｙｐ.

１.９

０.４

－

０．０２２

０.０４３

（Ｔ

Ｍａｘ.

０.４５

０.７０

０.３５

１.５０

Ｍａｘ.

１.０

２.４

０.５

２４

８

－

Dimension:［mm］

Ｃ

＝２５℃）

Ｕｎｉｔ

(kgf･cm)

Ｕｎｉｔ

Ｖ

Ｎ・ｍ

℃／Ｗ

ｍＡ

μＡ

ｐＦ

μｓ

（ＲＭＳ）

Ｖ

Ａ

Ｗ

℃

Ｖ

Ａ

Ｖ

Related parts for PHMB1200B12_1

PHMB1200B12_1 Summary of contents

Page 1

ＩＧＢＴＭｏｄｕｌｅ－ＳｉｎｇｌｅＣＩＲＣＵＩＴ □ 回路図： (E) (C) ( (G) 3 ＭＡＸＩＭＵＭＲＡＴＩＮＧＳ □ 最大定格：Ｉｔｅｍコレクタ・エミッタ間電圧Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲート・エミッタ間電圧Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage ...

Page 2

Fig.1- Output Characteristics 2400 V =20V 12V GE 15V 2000 1600 1200 800 400 Collector to Emitter Voltage V Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage 16 I =600A C 14 ...

Page 3

Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time 10 V =600V CC I =1200A =±15V GE T =25℃ 0.5 0.2 0.1 0.05 0.1 0.2 0.5 1 Series Gate Impedance R Fig.9- Reverse Recovery Characteristics ...

Related keywords

PHMB1200B12_1 datasheet
PHMB1200B12_1 data sheet
PHMB1200B12_1 pdf datasheet
PHMB1200B12_1 component
PHMB1200B12_1 part
PHMB1200B12_1 distributor
PHMB1200B12_1 RoHS
PHMB1200B12_1 datasheet download