TPS842A TOSHIBA [Toshiba Semiconductor], TPS842A Datasheet
TPS842A
Manufacturer Part Number
TPS842A
Description
TPS842A
Manufacturer
TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
Datasheet
1.TPS842A.pdf
(6 pages)
○ 鉛フリー対応製品
○ 光電スイッチ
○ 複写機、プリンタ、ファクシミリ
○ 自動販売機
○ ハンディターミナル
回路、シュミットトリガ回路などを 1 チップに集積した
デジタル出力型の Si フォト IC です。
を抑えることができます。
ローレベル出力となります。
•
•
•
•
•
•
最大定格
TPS842A(F), TPS844(F)は、フォトダイオードと増幅
低電圧駆動タイプで、システムの低電圧化や消費電力
フォトトランジスタに比べ高速応答です。光入力時に
小型サイドビューエポキシ樹脂パッケージ
広い動作電源電圧範囲: V
高速応答
高感度
TTL, CMOS に直結可能
デジタル出力 : TPS842A(F) …. オープンコレクタ
電
出
出
出 力 電 流 低 減 率 (Ta > 25°C)
許
許 容 損 失 低 減 率 (Ta > 25°C)
動
保
は ん だ 付 け 温 度 (5s) (注 1)
注 1:
力
樹脂パッケージ底面より 1.3 mm の位置
(Ta = 25°C)
源
力
容
作
存
項
電
: t
: 0.3 mW/cm
TPS844(F) …. プルアップ抵抗付
pLH
圧
TPS842A(F),TPS844(F)
= 15 µs, t
目
電
電
損
温
温
TPS842A(F)
TPS844(F)
CC
2
東芝フォト IC シリコンエピタキシャルプレーナ
(最大)
= 2.7~15 V
pHL
圧
流
失
度
度
= 9 µs (最大)
記 号
∆I
∆P/°C
V
T
T
T
V
O
I
P
CC
opr
stg
sol
O
O
/°C
定
−40~100
−30~95
−0.213
=V
−3.33
250
260
15
15
16
1
CC
格
質量: 0.12 g (標準)
東 芝
mW/°C
mA/°C
単位
mW
mA
°C
°C
°C
V
V
TPS842A(F),TPS844(F)
0-3H1
2004-05-06
単位: mm
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Description
Manufacturer
Datasheet
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R
Part Number:
Description:
TOSHIBA Bipolar Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic
Manufacturer:
TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
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TOSHIBA Bi-CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic
Manufacturer:
TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
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Description:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (MOSV)
Manufacturer:
TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type
Manufacturer:
TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
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Description:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U−MOSIII)
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TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
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Description:
Toshiba Semiconductor [TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT]
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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Description:
Toshiba Semiconductor [SILICON N CHANNEL 1GBT]
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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Description:
Toshiba Semiconductor [GTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications]
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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Description:
Toshiba Semiconductor [Power Module]
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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Description:
TOSHIBA GTR MODULE SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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Description:
TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE SILICON N CHANNEL LGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA GTR MODULE SILICON N−CHANNEL IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
TPS842A Summary of contents
Page 1
... TTL, CMOS に直結可能 • デジタル出力 : TPS842A(F) …. オープンコレクタ TPS844(F) …. プルアップ抵抗付 (Ta = 25°C) 最大定格 ...
Page 2
... TPS842A(F) ロ ー レ ベ ル 供 給 電 流 TPS844(F) ハ イ レ ベ ル 出 力 電 流 TPS842A(F) ハ イ レ ベ ル 出 力 電 圧 TPS844(F) ロ ー レ ベ ル 出 力 電 圧 ...
Page 3
... TPS842A(F),TPS844(F) 3 と ...
Page 4
... 3 mW/cm 100 10 1 −40 −20 100 (代表値) 1 3.3 V 1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 −40 − TPS842A(F),TPS844(F) I – 100 周囲温度 Ta (°C) V – Ta (代表値 100 周 ...
Page 5
... E/E 分光感度特性 (代表値) 長 λ (nm) 波 3 25° mW/cm 1 0.1 100 0.01 0 TPS842A(F),TPS844( – R (代表値 100 負荷抵抗 R (kΩ) L 指 ...
Page 6
... TPS842A(F),TPS844(F) ...