3LP01S-K-TL-E ON Semiconductor, 3LP01S-K-TL-E Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: 3LP01S-K-TL-E
• Description: MOSFET
• Manufacturer: ON Semiconductor

Specifications of 3LP01S-K-TL-E

• Transistor Polarity: P-Channel
• Drain-source Breakdown Voltage: - 30 V
• Continuous Drain Current: - 0.1 A
• Resistance Drain-source Rds (on): 10.4 Ohms
• Mounting Style: SMD/SMT
• Package / Case: SC-75
• Power Dissipation: 0.15 W

--0.01
--0.1
100
0.20
0.15
0.10
0.05
1.0
10
3
2
7
5
3
2
--0.5
7
5
3
2
7
5
3
2
0
0
0
20
--0.6
--5
Diode Forward Voltage, V SD -- V
Ciss, Coss, Crss -- V DS
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Ambient Temperature, Ta -- °C
40
--0.7
--10
60
I S -- V SD
P D -- Ta
--0.8
--15
80
100
--0.9
--20
120
--1.0
Ciss
Coss
Crss
--25
V GS =0V
f=1MHz
140
IT00085
IT00087
IT02381
--1.1
--30
160
3LP01S
1000
100
--10
10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
--0.01
0
7
5
3
2
7
5
3
2
0
V DS = --10V
I D = --0.1A
0.2
t d (off)
0.4
Total Gate Charge, Qg -- nC
2
Drain Current, I D -- A
SW Time -- I D
0.6
V GS -- Qg
t f
3
0.8
t d (on)
1.0
t r
5
1.2
V DD = --15V
V GS = --4V
7
No.6681-4/7
1.4
IT00086
IT00088
--0.1
1.6