CPH6341-M-TL-E ON Semiconductor, CPH6341-M-TL-E Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: CPH6341-M-TL-E
• Description: MOSFET
• Manufacturer: ON Semiconductor

Specifications of CPH6341-M-TL-E

• Transistor Polarity: P-Channel
• Drain-source Breakdown Voltage: - 30 V
• Continuous Drain Current: - 5 A
• Resistance Drain-source Rds (on): 59 mOhms
• Mounting Style: SMD/SMT
• Package / Case: SC-74
• Power Dissipation: 1.6 W

--5.0
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
100
160
140
120
100
1.0
0.1
10
10
80
60
40
20
--0.01
0
0
7
5
3
2
7
5
3
2
2
7
5
3
2
7
5
3
2
--0.1
0
0
V DS = --10V
V DD = --15V
V GS = --10V
I D = --1.5A
--0.1
2
--2
2
3
--0.2
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
5 7
3
--4
--3.0A
--0.3
R DS (on) -- V GS
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
--0.1
SW Time -- I D
5
--6
--0.4
I D -- V DS
|
y
7
2
fs | -- I D
--0.5
--1.0
--8
3
5 7
--0.6
--10
--1.0
2
--0.7
--12
3
2
--0.8
3
Ta=25°C
5
--14
--0.9
IT13379
IT13381
IT13385
5 7
IT13383
7
CPH6341
--1.0
--10
--16
--10
--0.01
1000
--1.0
--0.1
100
--10
160
140
120
100
--6
--5
--4
--3
--2
--1
80
60
40
20
--0.2
0
0
--60
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
0
0
V DS = --10V
V GS =0V
--40
--0.5
--5
--20
--0.4
Ciss, Coss, Crss -- V DS
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
--1.0
Ambient Temperature, Ta -- ° C
0
--10
R DS (on) -- Ta
--1.5
20
I D -- V GS
--0.6
I S -- V SD
40
--2.0
--15
60
--0.8
--2.5
80
--20
100
--3.0
No. A1084-3/7
--1.0
120
--25
f=1MHz
--3.5
140
IT13380
IT13382
IT13384
IT13386
--4.0
--1.2
160
--30