D1030N Infineon Technologies, D1030N Datasheet
D1030N
Specifications of D1030N
Related parts for D1030N
D1030N Summary of contents
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... Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature prepared by: H.Sandmann approved by: M.Leifeld IFBIP D AEC, 2008-09-15, H.Sandmann D1030N T = -25°C... max T = 100 ° °C, θ = 180°sin =25 ° ...
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... Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC, 2008-09-15, H.Sandmann D1030N Mechanische Eigenschaften 47/08 Seite 3 ...
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... N Datenblatt / Data sheet Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode Maßbild Maßbild 1 IFBIP D AEC, 2008-09-15, H.Sandmann D1030N 1: Anode Kathode/ A 47/08 Anode Cathode Seite/page 3/8 ...
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... Analytische Funktion / Analytical function: 0,10 0,08 0,06 0,04 0,02 0,00 0,001 0,01 Transienter innerer Wärmewiderstand fü Transient thermal impedance for DC IFBIP D AEC, 2008-09-15, H.Sandmann D1030N 0,000170 0,003380 0,00429 0,000272 0,002610 0,04170 0,000221 0,003179 0,00357 0,000330 0,002600 0,02970 0,000218 0,003052 0,00216 0,000328 0,002540 0,01790 ...
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... Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i IFBIP D AEC, 2008-09-15, H.Sandmann D1030N ∆Z / ∆Z th Θ rec th Θ sin Θ = 180° Θ = 120° 0,00437 0,00762 0,00277 0,00429 0,00436 0,00756 0,00276 0,00424 0,00436 ...
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... Durchlassverlustleistung / On-state power loss P 180 160 140 120 100 500 Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T IFBIP D AEC, 2008-09-15, H.Sandmann D1030N Durchlassverluste 1000 1500 I [A] FAV Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Tc beidseitig Parameter sin 180° rec 120° ...
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... Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V Typical dependency of maximum overload on-state current I sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V IFBIP D AEC, 2008-09-15, H.Sandmann D1030N Qr Diagramm 1 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q =f(-di/dt ≤ 0,5 V ...
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... If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. IFBIP D AEC, 2008-09-15, H.Sandmann D1030N A 47/08 Seite/page 8/8 ...