D1030N Infineon Technologies, D1030N Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: D1030N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of D1030N

• Vrrm (max): 2,200.0 - 2,600.0 V
• Ifsm (max): 14,500.0 A
• Ifavm/tc: 1030/100 (180 ° el sin)
• Housing: Disc dia 58mm height 26mm / Ceramic
• Features: Rectifier Diodes

IFBIP D AEC, 2008-09-15, H.Sandmann
N
10000
Netz-Gleichrichterdiode
1000
100
16
14
12
10
Rectifier Diode
8
6
4
2
0
0,1
1
Typical dependency of maximum overload on-state current I
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I
3
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V
5
Datenblatt / Data sheet
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
RC-Glied / RC-Network: R = 3,9Ω, C = 1µF
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
T
vj
I
= T
F(OV)M
1
7
Qr Diagramm
vjmax
= f (pulses, V
, v
D1030N
R
A 47/08
≤ 0,5 V
Q
9
r
=f(-di/dt)
F(OV)M
RRM
RM
) ; T
, v
von der Anzahl für eine Folge von Sinus
RM
11
vj
= 0,8 V
= T
F(OV)M
vj max
RRM
as a number of a sequence of
10
13
-di/dt [A/µs]
RM
15
RM
Seite/page
0,33 V
0,67 V
0-50V
17
RRM
RRM
i
1600A
FM
800A
400A
200A
100A
100
50A
19
7/8
=