D1030N Infineon Technologies, D1030N Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: D1030N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of D1030N

• Vrrm (max): 2,200.0 - 2,600.0 V
• Ifsm (max): 14,500.0 A
• Ifavm/tc: 1030/100 (180 ° el sin)
• Housing: Disc dia 58mm height 26mm / Ceramic
• Features: Rectifier Diodes

IFBIP D AEC, 2008-09-15, H.Sandmann
N
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
Netz-Gleichrichterdiode
Anpreßkraft
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
Mechanische Eigenschaften
D1030N
f = 50 Hz
A 47/08
G
F
Seite/page
typ.
Seite 3
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10...24 kN
285 g
25 mm
50 m/s²
2/8