FZ200R65KF1 Infineon Technologies, FZ200R65KF1 Datasheet

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FZ200R65KF1

Manufacturer Part Number
FZ200R65KF1
Description
IGBT Modules N-CH 6.3KV 400A
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of FZ200R65KF1

Configuration
Single Dual Collector Dual Emitter
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
6300 V
Continuous Collector Current At 25 C
400 A
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Maximum Gate Emitter Voltage
+/- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Package / Case
IHV73

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
FZ200R65KF1
Manufacturer:
MICREL
Quantity:
1 200
Part Number:
FZ200R65KF1
Quantity:
55
IGBT-Module
IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
I
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Teilentladungs Aussetzspannung
partial discharge extinction voltage
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Gateladung
gate charge
Eingangskapazität
input capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
prepared by: Dr. Oliver Schilling
approved by: Dr. Schütze 2002-07-05
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Charakteristische Werte / Characteristic values
Technische Information / Technical Information
2
t - value, Diode
T
T
T
T
T
t
T
t
V
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
RMS, f = 50 Hz, Q
I
I
I
V
f = 1MHz,T
V
V
V
date of publication: 2002-07-05
revision/Status: Series 1
FZ 200 R 65 KF1
P
P
C
C
C
vj
vj
vj
C
C
C
R
GE
CE
CE
CE
= 1 ms, T
= 1 ms
=25°C, Transistor
= 200A, V
= 200A, V
= 35mA, V
=125°C
=25°C
=-40°C
= 80 °C
= 25 °C
= 0V, t
= -15V ... +15V
= 6300V, V
= 6500V, V
= 0V, V
p
= 10ms, T
vj
GE
C
GE
GE
= 25°C,V
CE
= 80°C
= 20V, T
= 15V, T
= 15V, T
GE
GE
= V
= 0V, T
= 0V, T
PD
GE
typ. 10pC (acc. To IEC 1287)
, T
Vj
CE
vj
= 125°C
vj
vj
1
vj
= 25V, V
= 25°C
= 25°C
= 125°C
vj
vj
= 25°C
= 25°C
= 125°C
GE
= 0V
V
V
I
V
V
V
V
C,nom.
I
I
C
I
I
P
CRM
CE sat
GE(th)
Q
FRM
CES
GES
I
ISOL
ISOL
CES
I
GES
I
2
C
tot
F
ies
G
t
min.
6,4
-
-
-
-
-
-
+/- 20V
6500
6300
5800
typ.
10,2
200
400
400
200
400
0,2
3,8
5,1
4,3
5,3
7,0
2,8
26
28
20
-
max.
400
4,9
5,9
8,1
-
-
FZ 200 R65 KF1 (final 1).xls
-
k A
kW
mA
mA
µC
kV
kV
nF
nA
V
A
A
A
V
A
A
V
V
V
2
s

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FZ200R65KF1 Summary of contents

Page 1

Technische Information / Technical Information FZ 200 R 65 KF1 IGBT-Module IGBT-Modules Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties T Kollektor-Emitter-Sperrspannung T collector-emitter voltage T T Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current T Periodischer Kollektor Spitzenstrom t repetitive peak ...

Page 2

Technische Information / Technical Information FZ 200 R 65 KF1 IGBT-Module IGBT-Modules Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor I Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) ...

Page 3

Technische Information / Technical Information FZ 200 R 65 KF1 IGBT-Module IGBT-Modules Thermische Eigenschaften / Thermal properties Transistor / transistor, DC Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Diode/Diode, DC pro Modul / per Module Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to ...

Page 4

Technische Information / Technical Information FZ 200 R 65 KF1 IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) 450 400 25°C 125°C 350 300 250 200 150 100 50 0 0,0 1,0 2,0 3,0 Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 450 400 ...

Page 5

Technische Information / Technical Information FZ 200 R 65 KF1 IGBT-Module IGBT-Modules Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) 450 400 350 300 250 200 150 100 Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) ...

Page 6

Technische Information / Technical Information FZ 200 R 65 KF1 IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste (typisch Switching losses (typical) R 5500 5000 4500 Eon Eoff 4000 Erec 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500 100 Schaltverluste (typisch) ...

Page 7

Technische Information / Technical Information FZ 200 R 65 KF1 IGBT-Module IGBT-Modules Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) 450 400 350 300 Tvj=125°C 250 Tvj=25°C 200 150 100 50 0 2000 2500 3000 Sicherer Arbeitsbereich Diode (SOA) ...

Page 8

Technische Information / Technical Information FZ 200 R 65 KF1 IGBT-Module IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 0,1 0,01 0,001 0,001 0, [K/kW] : IGBT i [s] : IGBT i r [K/kW] : Diode i [s] : Diode ...

Page 9

Technische Information / Technical Information FZ 200 R 65 KF1 IGBT-Module IGBT-Modules Äußere Abmessungen / extenal dimensions Anschlüsse / Terminals Hilfsemitter / auxiliary emitter Gate / gate Hilfskollektor / auxiliary collector Emitter / emitter Kollektor ...

Page 10

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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