MJF15031G ON Semiconductor, MJF15031G Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: MJF15031G
• Description: TRANS POWER PNP 8A 150V TO220FP
• Manufacturer: ON Semiconductor

Specifications of MJF15031G

• Transistor Type: PNP
• Current - Collector (ic) (max): 8A
• Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 150V
• Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
• Current - Collector Cutoff (max): 10µA
• Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
• Power - Max: 2W
• Frequency - Transition: 30MHz
• Mounting Type: Through Hole
• Package / Case: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
• Transistor Polarity: PNP
• Mounting Style: Through Hole
• Collector- Emitter Voltage Vceo Max: 150 V
• Emitter- Base Voltage Vebo: 5 V
• Maximum Dc Collector Current: 8 A
• Power Dissipation: 36 W
• Maximum Operating Temperature: + 150 C
• Continuous Collector Current: 8 A
• Dc Collector/base Gain Hfe Min: 40
• Maximum Operating Frequency: 30 MHz
• Minimum Operating Temperature: - 65 C
• Number Of Elements: 1
• Collector-emitter Voltage: 150V
• Collector-base Voltage: 150V
• Emitter-base Voltage: 5V
• Collector Current (dc) (max): 8A
• Dc Current Gain (min): 40
• Frequency (max): 30MHz
• Operating Temp Range: -65C to 150C
• Operating Temperature Classification: Military
• Mounting: Through Hole
• Pin Count: 3 +Tab
• Package Type: TO-220 Full-Pak
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant
• Other names: MJF15031GOS

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
3. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2%.
4. f
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 3)
Collector Cutoff Current
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain (I
DC Current Gain Linearity
Collector−Emitter Saturation Voltage
Base−Emitter On Voltage
Current Gain − Bandwidth Product (Note 4)
T
0.05
0.03
0.02
0.01
(I
(V
(V
(V
(V
(I
(I
(I
0.5
0.3
0.2
0.1
C
C
C
C
= ⎪h
1
CE
CB
BE
CE
0.1
= 10 mAdc, I
= 1 Adc, I
= 1 Adc, V
= 500 mAdc, V
= 5 Vdc, I
fe
= 150 Vdc, I
= 150 Vdc, I
from 2 V to 20 V, I
⎪• f
test
0.2
B
.
CE
0.3
= 0.1 Adc)
C
(I
(I
(I
B
= 0)
C
C
C
C
= 2 Vdc)
B
E
= 0)
CE
= 0.1 Adc, V
= 2 Adc, V
= 3 Adc, V
= 4 Adc, V
= 0)
= 0)
0.5
= 10 Vdc, f
C
from 0.1 A to 3 A) (NPN to PNP)
1
CE
CE
CE
Characteristic
CE
test
= 2 Vdc)
= 2 Vdc)
= 2 Vdc)
SINGLE PULSE
R
T
J(pk)
qJC(t)
= 2 Vdc)
= 10 MHz)
2
- T
(T
= r(t) R
C
C
3
= P
= 25_C unless otherwise noted)
qJC
(pk)
5
R
qJC
Figure 1. Thermal Response
(t)
10
http://onsemi.com
20
t, TIME (ms)
2
30
50
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
100
V
Symbol
V
V
CEO(sus)
200
I
I
I
CE(sat)
BE(on)
h
h
CEO
CBO
EBO
f
FE
FE
T
300
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
500
Min
150
40
40
40
20
30
−
−
−
−
−
1K
Typ
2
3
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
2K
Max
0.5
10
10
10
−
−
−
−
−
1
−
3K
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
5K
mAdc
mAdc
mAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
−
10K