FS75R12KE3G Infineon Technologies, FS75R12KE3G Datasheet

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FS75R12KE3G

Manufacturer Part Number
FS75R12KE3G
Description
IGBT Modules 1200V 75A 3-PHASE
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of FS75R12KE3G

Configuration
Hex
Channel Type
N
Collector-emitter Voltage
1.2kV
Gate To Emitter Voltage (max)
±20V
Mounting
Screw
Operating Temperature (min)
-40C
Operating Temperature (max)
125C
Operating Temperature Classification
Automotive
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
1200 V
Collector-emitter Saturation Voltage
1.7 V
Continuous Collector Current At 25 C
105 A
Gate-emitter Leakage Current
400 nA
Power Dissipation
355 W
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Maximum Gate Emitter Voltage
+/- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Package / Case
EconoPACK 3B
Ic (max)
75.0 A
Vce(sat) (typ)
1.7 V
Technology
IGBT3
Housing
EconoPACK™ 2
Lead Free Status / RoHS Status
Compliant

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
FS75R12KE3G
Manufacturer:
INFINEON
Quantity:
200
Part Number:
FS75R12KE3G
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Part Number:
FS75R12KE3G
Quantity:
55
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Charakteristische Werte / characteristic values
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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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