AT86RF212 Atmel Corporation, AT86RF212 Datasheet - Page 121

• Manufacturer Part Number: AT86RF212
• Manufacturer: Atmel Corporation

Specifications of AT86RF212

• Max. Operating Frequency: 0 MHz
• Crypto Engine: AES
• Operating Voltage (vcc): 1.8 to 3.6
• Frequency Band: 700/800/900MHz
• Max Data Rate (mb/s): 1
• Antenna Diversity: No
• External Pa Control: Yes
• Power Output (dbm): 10
• Receiver Sensitivity (dbm): -110
• Receive Current Consumption (ma): 9.0
• Transmit Current Consumption (ma): 18 at 5dBm
• Link Budget (dbm): 120

7.7.2 集成振荡器设置
8168B-MCU Wireless-03/09
当使用内置振荡器时，振荡频率取决于晶体引脚 XTAL1 和 XTAL2 之间的负载电容。总负载电容
C
图 7-15 列出了所有寄生电容，包括 PCB 杂散电容和引脚输入电容等，统称为 C
图 7-15 XOSC 及外置部件简要示意图
还可使用其他内置微调电阻 C
至 4.5pF 的范围内进行选择，分辨率为 0.3pF。使用以下公式计算总负载电容
微调电容可减少因产生过程变化或外置部件公差而引起的频率偏差。请注意只能通过提高微调电
容来降低振荡频率。因 C
幅度控制电路用于保证在不同操作模式下和适用于不同晶体类型的稳定操作。在 P_ON 状态下及
退出睡眠状态后启动晶体振荡器时，会使幅度建立相的电流微微升高以便保证缩短启动时间。在
稳定操作中，电流降低到稳定操作所必需的值，并保持晶体的低激励功率。
通常而言，晶体的负载电容越高，对因外置部件变化或电路板及电流寄生变化而造成的寄生牵引
效应的敏感度越低。另一方面，晶体的负载电容越高，其启动时间就越长，稳定状态下的耗电量
也越大。
L
必须等于规定的晶体自身负载电容。它包括连接 XTAL 节点的外置电容 CX 和寄生电容。
EVDD
XTAL_TRIM[3:0]
V
C
DD
L
=0.5・(CX+C
C
TRIM
XTAL1
C
PAR
TRIM
TRIM
一步引起的频率偏差随着晶体负载电容值的升高而降低。
TRIM
+C
CX
。可通过寄存器 0x12（XOSC_CTRL）的 XTAL_TRIM 位在 0pF
EVDD
PAR
16MHz
).
XTAL2
CX
XTAL_TRIM[3:0]
AT86RF212
C
TRIM
C
PAR
PCB
AT86RF212
PAR
。
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