AT86RF212 Atmel Corporation, AT86RF212 Datasheet - Page 20

• Manufacturer Part Number: AT86RF212
• Manufacturer: Atmel Corporation

Specifications of AT86RF212

• Max. Operating Frequency: 0 MHz
• Crypto Engine: AES
• Operating Voltage (vcc): 1.8 to 3.6
• Frequency Band: 700/800/900MHz
• Max Data Rate (mb/s): 1
• Antenna Diversity: No
• External Pa Control: Yes
• Power Output (dbm): 10
• Receiver Sensitivity (dbm): -110
• Receive Current Consumption (ma): 9.0
• Transmit Current Consumption (ma): 18 at 5dBm
• Link Budget (dbm): 120

图 4-11 数据包结构-SRAM 读取访问
图 4-12 数据包结构-SRAM 写入访问
图 4-13 SPI 时序示例-SRAM 的 5 字节数据包读取访问
图 4-14 SPI 时序示例-SRAM 的 5 字节数据包写入访问
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MOSI
MISO
MOSI
MISO
/ SEL
SCLK
MOSI
MISO
/ SEL
SCLK
MOSI
MISO
0
0
byte 1 ( 使他字节
字节 1 ( 命令字节
0
1
PHY _ STATUS
PHY _ STATUS
PHY _ STATUS
AT86RF212
PHY _ STATUS
0
0
命令
命令
预留
预留
在 SRAM 写入访问中， 在 MOSI 上从访问时序的第三个字节开始传输一个或多个字节的写入数据
（参看图 4-12） 。请勿试图读取或写入超出 SRAM 缓存器容量的字节。
在/SEL=L 的情况下，各后附字节读取或字节写入均会使帧缓冲的地址计数器增长直至 SRAM 访
问由/SEL=H 终止。
图 4-13 和图 4-14 列出了 SRAM 访问长度为 5 字节的数据包读取和写入分别对应的 SPI 时序示例。
附注
・SRAM 访问模式并非设计用作帧缓冲访问模式（参看 4.3.2 小节）的代替模式。
・当使用 SRAM 访问模式时，帧缓冲访问冲突并无 TRX_UR 中断指示，更多详尽资料见于 7.4.3
小节。
[ 5 : 0 ]
[ 5 : 0 ]
)
)
地址
地址
XX
XX
地址
地址
字节 2 ( 数据字节 )
字节 2 ( 地址
XX
XX
[ 7 : 0 ]
[ 7 : 0 ]
数据
数据
)
XX
XX
1
1
字
节
字节 3 ( 数据字节 )
DATA [7:0]
数据 [7:0]
3 ( 数据字节 )
数据
数据
XX
XX
XX
XX
2
2
数据
数据
XX
XX
3
3
字节 n-1 ( 数据字节 )
字节 n -1 ( 数据字节 )
数据 [ 7 : 0 ]
数据 [ 7 : 0 ]
XX
XX
数据
数据
XX
XX
4
4
8168B-MCU Wireless-03/09
数据
数据
字节 n ( 数据字节 )
字节 n ( 数据字节 )
XX
数据 [7:0]
数据 [7:0]
XX
5
5
XX
XX