D650S14T QR Infineon Technologies, D650S14T QR Datasheet - Page 4

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D650S14T QR

Manufacturer Part Number
D650S14T QR
Description
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of D650S14T QR

Vrrm (max)
1,200.0 - 1,400.0 V
Ifsm (max)
10,100.0 A
Ifavm/tc
650/96 (180 ° el sin)
Housing
Dia 58mm height 26mm / Ceramic
Configuration
Fast Rectifier Diodes / SCR Diode Discs
IFBIP D AEC / 2009-03-16, H.Sandmann
S
kathodenseitig
cathode-sided
anodenseitig
anode-sided
two-sided
Kühlung /
beidseitig
R,T – Werte
R,Tau-Glieder des Elements
Seite / page A 14/92
Cooling
Schnelle Diode
0,12
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
0,00
Fast Diode
0,001
Analytische Funktion / Analytical function:
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
R
R
R
thn
thn
thn
Pos. n
Analytical elements of transient thermal impedance Z
n
n
n
[°C/W]
[°C/W]
[°C/W]
[s]
[s]
[s]
Transienter Wärmewiderstand
0,01
Datenblatt / Data sheet
0,001080
0,000378
0,001060
0,000377
0,001090
0,000379
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
1
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
0,00420
0,00189
0,00407
0,00182
0,00423
0,00190
2
0,1
D650S
Z
thJC
A 15/09
0,00596
0,01850
0,00519
0,01560
0,00616
0,01920
= f(t)
3
t [s]
0,0183
0,1470
0,0167
0,1210
0,0186
0,1520
1
Z
thJC
4
n
n=1
0,01546
1,22000
0,00698
0,57100
0,01340
2,54000
max
thJC
R
5
for DC
thJC
thn
10
für DC
1
0,05652
9,90000
e
0,048
7,210
Seite/page
6
-
-
-t
n
100
7
-
-
-
-
-
-
c
a
b
4/6

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