MC74HCT541ADWG ON Semiconductor, MC74HCT541ADWG Datasheet - Page 2
![IC BUFF/DVR TRI-ST 8BIT 20SOIC](/photos/7/9/70936/mc74hct541adwg_sml.jpg)
MC74HCT541ADWG
Manufacturer Part Number
MC74HCT541ADWG
Description
IC BUFF/DVR TRI-ST 8BIT 20SOIC
Manufacturer
ON Semiconductor
Series
74HCTr
Specifications of MC74HCT541ADWG
Logic Type
Buffer/Line Driver, Non-Inverting
Number Of Elements
1
Number Of Bits Per Element
8
Current - Output High, Low
6mA, 6mA
Voltage - Supply
4.5 V ~ 5.5 V
Operating Temperature
-55°C ~ 125°C
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
20-SOIC (7.5mm Width)
Logic Family
74HCT
Number Of Channels Per Chip
Octal
Polarity
Non-Inverting
Supply Voltage (max)
5.5 V
Supply Voltage (min)
4.5 V
Maximum Operating Temperature
125 C
Mounting Style
SMD/SMT
High Level Output Current
- 6 mA
Input Bias Current (max)
4 uA
Low Level Output Current
6 mA
Maximum Power Dissipation
500 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number Of Lines (input / Output)
3
Output Type
3-State
Propagation Delay Time
23 ns @ 5 V
Circuit Type
Silicon Gate
Current, Supply
160 μA
Function Type
8-Channels
Logic Function
Buffer/Driver/Receiver
Number Of Circuits
Octal
Package Type
SOIC-20
Special Features
Non-Inverting, Tri-State
Temperature, Operating, Range
-55 to +125 °C
Voltage, Supply
4.5 to 5.5 V
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Other names
MC74HCT541ADWG
MC74HCT541ADWGOS
MC74HCT541ADWGOS
Available stocks
Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Company:
Part Number:
MC74HCT541ADWG
Manufacturer:
Freescale
Quantity:
540
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress
ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied.
Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device
reliability.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/_C from 65_ to 125_C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
MAXIMUM RATINGS
Symbol
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
V
in
V
V
V
T
t
I
I
V
P
T
T
, V
r
I
out
CC
CC
out
stg
CC
, t
in
in
A
D
L
f
out
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
OE1
V
20
CC
1
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
DC Input Voltage (Referenced to GND)
DC Output Voltage (Referenced to GND)
DC Input Current, per Pin
DC Output Current, per Pin
DC Supply Current, V
Power Dissipation in Still Air Plastic DIP†
Storage Temperature Range
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
Plastic DIP or SOIC Package
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
DC Input Voltage, Output Voltage
(Referenced to GND)
Operating Temperature Range, All Package Types
Input Rise/Fall Time (Figure 1)
SOIC Package: – 7 mW/_C from 65_ to 125_C
OE2
A1
19
2
PINOUT: 20−LEAD PACKAGES
Y1
A2
18
3
Y2
A3
17
4
Parameter
Parameter
CC
(Top View)
Y3
A4
16
5
and GND Pins
SOIC Package†
Y4
A5
15
6
Y5
A6
14
7
Y6
13
A7
8
MC74HCT541A
Y7
12
A8
9
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
GND
– 0.5 to V
– 0.5 to V
Y8
2
11
10
– 55
Min
4.5
– 0.5 to + 7.0
– 65 to + 150
0
0
Value
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
± 20
± 35
± 75
750
500
260
CC
CC
+ 125
Max
V
500
5.5
+ 0.5
+ 0.5
CC
Î Î Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î
Unit
Unit
mW
mA
mA
mA
_C
_C
_C
ns
V
V
V
V
V
FUNCTION TABLE
Z = High Impedance
X = Don’t Care
OE1
H
X
L
L
circuitry to guard against damage due
to high static voltages or electric
fields. However, precautions must be
taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
voltages to this high−impedance
circuit. For proper operation, V
V
range GND v (V
to an appropriate logic voltage level
(e.g., either GND or V
outputs must be left open.
Inputs
OE2
out
This device contains protection
Unused inputs must always be tied
H
L
L
X
should be constrained to the
A
H
X
X
L
in
Output Y
or V
H
L
Z
Z
out
CC
) v V
). Unused
in
CC
and
.