PBSS4160K Philips Semiconductors, PBSS4160K Datasheet - Page 6

• Manufacturer Part Number: PBSS4160K
• Description: 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
9397 750 12702
Objective data sheet
Fig 3. DC current gain as a function of collector
Fig 5. Collector-emitter saturation voltage as a
V
CEsat
(1) T
(2) T
(3) T
(V)
(1) T
(2) T
(3) T
h
10
10
10
800
600
400
200
FE
10
0
1
10
1
2
3
V
current; typical values.
I
function of collector current; typical values.
C
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
/I
1
1
B
= 5 V.
= 10.
= 100
= 25
= 55
= 100
= 25
= 55
1
1
C.
C.
C.
C.
C.
C.
(2)
10
10
(1)
(2)
(3)
(1)
(3)
10
10
2
2
10
10
3
I
3
C
I
C
(mA)
mle130
(mA)
mle135
10
10
Rev. 01 — 29 April 2004
4
4
Fig 4. Base-emitter voltage as a function of collector
Fig 6. Collector-emitter saturation voltage as a
V
(1) T
(2) T
(3) T
(1) T
(2) T
(3) T
CEsat
(V)
10
10
V
(V)
1.2
BE
0 8
0 4
10
1
1
2
10
0
10
V
current; typical values.
I
function of collector current; typical values.
C
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
/I
1
1
B
60 V, 1 A NPN low V
= 5 V.
= 20.
= 55
= 25
= 100
= 100
= 25
= 55
1
1
C.
C.
C.
C.
C.
C.
10
10
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
(2)
PBSS4160K
10
10
(1)
(2)
(3)
(1)
(3)
2
2
CEsat
www.DataSheet4U.com
10
10
(BISS) transistor
3
001aaa825
3
I
I
C
C
mle133
(mA)
(mA)
10
10
4
4
6 of 12