PBSS4160T Philips Semiconductors, PBSS4160T Datasheet - Page 6

• Manufacturer Part Number: PBSS4160T
• Description: NPN low VCEsat (BISS) transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
2004 May 12
handbook, halfpage
handbook, halfpage
60 V, 1 A
NPN low V
V CEsat
V CEsat
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.6
T
(1) I
(2) I
Fig.8
C
amb
(V)
/I
(V)
B
10
10
10
10
10
= 10.
C
C
= 25 C.
amb
amb
amb
10
/I
/I
1
1
2
3
1
10
1
2
B
B
= 100.
= 50.
1
= 100 C.
= 25 C.
= 55 C.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
1
CEsat
(2)
10
10
(1)
(3)
(BISS) transistor
10
10
2
(1)
(2)
2
10
10
I C (mA)
3
3
I C (mA)
MLE135
MLE129
10
10
4
4
6
handbook, halfpage
handbook, halfpage
V CEsat
V BEsat
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.7
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.9
C
C
/I
/I
(V)
(V)
B
B
10
10
1.2
0.8
0.4
= 20.
= 20.
amb
amb
amb
amb
amb
amb
0
1
10
10
1
2
= 100 C.
= 25 C.
= 55 C.
= 55 C.
= 25 C.
= 100 C.
1
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
1
10
10
(1)
(3)
(2)
10
10
(1)
(2)
(3)
2
2
PBSS4160T
Product specification
10
10
3
3
I C (mA)
I C (mA)
MLE134
MLE104
10
10
4
4