PBSS5160K NXP Semiconductors, PBSS5160K Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: PBSS5160K
• Description: 60V 1A PNP low VCEsat (BISS) transistor
• Manufacturer: NXP Semiconductors

NXP Semiconductors
PBSS5160K_3
Product data sheet
Fig 5.
Fig 7.
V
h
(V)
(1) T
(2) T
(3) T
(1) T
(2) T
(3) T
FE
BE
600
400
200
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
10
V
DC current gain as a function of collector
current; typical values
V
Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
CE
amb
amb
amb
CE
amb
amb
amb
1
1
= 5 V
= 5 V
= 100 C
= 25 C
= 55 C
= 55 C
= 25 C
= 100 C
1
1
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
10
10
10
10
2
2
10
10
006aaa476
006aaa474
3
3
I
I
C
C
(mA)
(mA)
Rev. 03 — 6 October 2008
10
10
4
4
Fig 6.
Fig 8.
V
BEsat
(A)
(V)
I
(1) T
(2) T
(3) T
C
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
1.1
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
10
0
T
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
I
Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
C
I
amb
amb
amb
amb
B
/I
1
60 V, 1 A PNP low V
B
(mA) = 35.0
= 20
= 25 C
= 55 C
= 25 C
= 100 C
1
1
(1)
(2)
(3)
31.5
28.0
24.5
21.0
10
2
PBSS5160K
10
3
2
CEsat
www.DataSheet4U.com
© NXP B.V. 2008. All rights reserved.
10
(BISS) transistor
4
006aaa478
006aaa477
V
3
I
C
CE
17.5
14.0
10.5
7.0
3.5
(mA)
(V)
10
5
4
7 of 14