PBSS8110T Philips Semiconductors, PBSS8110T Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: PBSS8110T
• Description: NPN low VCEsat (BISS) transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
2003 Dec 22
handbook, halfpage
100 V, 1 A
NPN low V
V CEsat
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.5
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.7
C
CE
/I
(V)
h
B
10
10
600
FE
400
200
= 10 V.
= 10.
0
amb
amb
amb
amb
amb
amb
10
10
1
1
2
= 100 C.
= 25 C.
= 55 C.
= 100 C.
= 25 C.
= 55 C.
1
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
1
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
1
CEsat
10
10
(BISS) transistor
10
10
(1)
(2)
(3)
2
(1)
(2)
(3)
2
10
10
3
3
I
I C (mA)
C
mle352
(mA)
MLE366
10
10
4
4
7
handbook, halfpage
handbook, halfpage
V CEsat
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.6
I
T
Fig.8
C
CE
amb
/I
V BE
(V)
(V)
B
10
10
1.2
0.8
0.4
= 10 V.
= 20.
= 25 C.
amb
amb
amb
0
10
10
1
1
2
= 55 C.
= 25 C.
= 100 C.
1
1
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
1
10
10
10
10
(1)
(2)
(3)
2
2
PBSS8110T
Product specification
10
10
3
3
I C (mA)
I C (mA)
MLE362
MLE353
10
10
4
4