BC847BT T/R NXP Semiconductors, BC847BT T/R Datasheet - Page 7
![no-image](/images/manufacturer_photos/0/4/487/nxp_semiconductors_sml.jpg)
BC847BT T/R
Manufacturer Part Number
BC847BT T/R
Description
Semiconductors and Actives, Transistors, transistor, Discretes (diodes, transistors, thyristors ...), npn
Manufacturer
NXP Semiconductors
Datasheet
1.BC847BT_TR.pdf
(13 pages)
Philips Semiconductors
9397 750 14609
Product data sheet
Fig 5. Selection B: DC current gain as a function of
Fig 7. Selection B: Collector-emitter saturation
V
(mV)
(1) T
(2) T
(3) T
CEsat
(1) T
(2) T
(3) T
h
FE
600
500
400
300
200
100
10
10
10
10
0
10
10
4
3
2
V
collector current; typical values
I
voltage as a function of collector current;
typical values
C
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
/I
1
1
B
= 5 V
= 20
= 150 C
= 25 C
= 55 C
= 150 C
= 25 C
= 55 C
1
1
(1)
(3)
(2)
10
10
(1)
(2)
(3)
10
10
2
2
I
I
C
C
(mA)
(mA)
mgt727
mgt729
10
10
Rev. 06 — 19 May 2005
3
3
Fig 6. Selection B: Base-emitter voltage as a function
Fig 8. Selection B: Base-emitter saturation voltage as
V
(mV)
(mV)
V B
BEsat
(1) T
(2) T
(3) T
(1) T
(2) T
(3) T
E
1200
1000
1200
1000
45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
800
600
400
200
800
600
400
200
0
0
10
V
of collector current; typical values
I
a function of collector current; typical values
10
C
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
/I
1
B
2
BC847/BC547 series
= 5 V
= 10
= 55 C
= 25 C
= 150 C
= 55 C
= 25 C
= 150 C
10
1
1
(1)
(2)
(3)
1
(1)
(2)
(3)
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
10
10
10
2
10
I
C
I
2
C
(mA)
mgt730
mgt728
(mA)
10
10
3
3
7 of 13