T1989N18TOF Infineon Technologies, T1989N18TOF Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: T1989N18TOF
• Description: Discrete Semiconductor Modules 1800V 1990A
• Manufacturer: Infineon Technologies
• Type: Discrete Semiconductor Moduler

Specifications of T1989N18TOF

• Mounting Style: Through Hole
• Output Current: 4200 A
• Reverse Voltage: 1800 V
• Package / Case: T1989
• Gate Trigger Current: 250 mA
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant

MA2-BE / 15 Aug 1995, K.-A. Rüther
N
Phase Control Thyristor
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Netz-Thyristor
Mechanische Eigenschaften
Datenblatt / Data sheet
Thermische Eigenschaften
A 122/95
T1989N
f = 50 Hz
T
v
dv
4.Kennbuchstabe / 4
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseitig / single-sides
RM
vj
D
= T
/dt = 20 V/µs, -di
= 100 V, v
vj max
, i
TM
DM
= I
Kathode / cathode
= 0,67 V
TAVM
T
th
/dt = 10 A/µs
letter O
DRM
Gate
R
R
T
T
T
G
t
F
q
vj max
c op
stg
thJC
thCH
Seite/page
typ.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
typ.
-40...+125 °C
-40...+150 °C
A 4,8x0,8
A 2,8x0,8
Seite 3
page 3
30...65
0,0133
0,0125
0,0218
0,0206
0,0342
0,0318
250
0,003
0,006
900 g
125 °C
30 mm
50 m/s²
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
kN
2/10
µs