T1989N18TOF Infineon Technologies, T1989N18TOF Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: T1989N18TOF
• Description: Discrete Semiconductor Modules 1800V 1990A
• Manufacturer: Infineon Technologies
• Type: Discrete Semiconductor Moduler

Specifications of T1989N18TOF

• Mounting Style: Through Hole
• Output Current: 4200 A
• Reverse Voltage: 1800 V
• Package / Case: T1989
• Gate Trigger Current: 250 mA
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant

MA2-BE / 15 Aug 1995, K.-A. Rüther
N
Phase Control Thyristor
kathodenseitig
cathode-sided
anodenseitig
anode-sided
Kühlung /
beidseitig
two-sided
Cooling
Netz-Thyristor
R,t – Werte
Diagramme
Diagramme
0,035
0,030
0,025
0,020
0,015
0,010
0,005
0,000
0,001
Analytische Funktion / Analytical function:
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC /Transient thermal impedance for DC
R
R
R
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thn
thn
thn
Pos. n
Analytical elements of transient thermal impedance Z
n
n
n
[°C/W]
[°C/W]
[°C/W]
[s]
[s]
[s]
0,01
Trans. Wärmewid. beidseitig
Datenblatt / Data sheet
0,00004
0,00029
0,00029
0,00072
0,00005
0,00018
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
1
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
A 122/95
0,00298
0,00158
0,00466
0,00108
0,00360
0,00060
2
T1989N
0,1
Z
thJC
0,00097
0,01350
0,00139
0,05640
0,00464
0,02090
= f(t)
t [s]
3
0,00291
0,13400
0,00725
0,27200
0,01404
0,11100
1
Z
4
thJC
n
n=1
0,00456
0,44900
0,01009
1,13900
0,01200
1,12500
thJC
max
R
5
for DC
thJC
thn
10
für DC
1
0,00342
2,05000
e
Seite/page
6
-
-
-
-
-t
n
100
7
-
-
-
-
-
-
c
a
b
4/10