GP2S60B Sharp Microelectronics, GP2S60B Datasheet - Page 8

• Manufacturer Part Number: GP2S60B
• Description: PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3
• Manufacturer: Sharp Microelectronics

Specifications of GP2S60B

• Sensing Distance: 0.028" (0.7mm)
• Sensing Method: Reflective
• Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 35V
• Current - Collector (ic) (max): 20mA
• Current - Dc Forward (if): 50mA
• Output Type: Phototransistor
• Response Time: 20µs, 20µs
• Mounting Type: Surface Mount, Gull Wing
• Package / Case: 4-SMD
• Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
• Output Collector Emitter Voltage (detector): 35 V
• Maximum Reverse Voltage (emitter): 6 V
• Maximum Collector Current (detector): 20 mA
• Output Device: Phototransistor
• Power Dissipation: 100 mW
• Forward Voltage: 1.2 V
• Maximum Fall Time: 100000 ns
• Maximum Operating Temperature: + 85 C
• Maximum Rise Time: 100000 ns
• Minimum Operating Temperature: - 25 C
• Mounting Style: SMD/SMT
• Wavelength: 930 nm
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant
• Other names: 425-2670-2; GP2S60B

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設計時の注意事項
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・受光素子 （員数：１）
・発光素子 （員数：１）
・材料
設計ガイド
経年変化について
使用部品
１） 誤動作防止について
２） 距離特性について
３） 実装基板配線について
４） 製品実装について
本製品は耐放射線設計はなされておりません。
本製品は非干渉性赤外発光ダイオードを使用しております。
フォトインタラプタに使用している赤外発光ダイオードは一般的に通電により発光出力が低下
します。
長時間使用の場合は赤外発光ダイオードの出力低下 （50%/5 年） を考慮し回路設計願います。
製品は下記部品を使用しています。
フォトトランジスタ
赤外発光ダイオード
外装パッケージ
外乱光による誤動作防止の為、受光部に外乱光がはいらない様配慮願います。
検出物との距離は、Fig.10 の 「相対光電流̶距離特性」 を参考にして、検出物とフォトインタ
ラプタとの距離を設定願います。
製品裏面部分にはショートの原因になる恐れがありますのでパターン配線を行わないでくだ
さい。
製品の遮光モールド樹脂部は実装時等の外力により欠ける恐れがある為、御社工程での条件
を十分確認の上、御使用ください。
（非干渉性）
エポキシ樹脂
黒色 PPS 樹脂
タイプ
タイプ
ガラスエポキシ
ガリウムひ素
シリコン （ Si ）
（ GaAs ）
材料
材料
基板
基板
リード端子処理
最大感度波長
最大発光波長
8
Au めっき
（ nm ）
（ nm ）
930
950
入出力周波数
700 ∼ 1 200
感度波長
（ MHz ）
（ nm ）
0.3
応答時定数
Sheet No.: D3-A02101JP
（μ s)
20
GP2S60