FP40R12KE3 Infineon Technologies, FP40R12KE3 Datasheet

IGBT Modules 1200V 40A PIM

FP40R12KE3

Manufacturer Part Number
FP40R12KE3
Description
IGBT Modules 1200V 40A PIM
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheets

Specifications of FP40R12KE3

Configuration
Hex
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
1200 V
Collector-emitter Saturation Voltage
2.3 V
Continuous Collector Current At 25 C
55 A
Gate-emitter Leakage Current
400 nA
Power Dissipation
200 W
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Maximum Gate Emitter Voltage
+/- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Package / Case
EconoPIM2
Module Configuration
Seven
Transistor Polarity
N Channel
Dc Collector Current
55A
Collector Emitter Voltage Vces
2.3V
Power Dissipation Pd
200W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Rohs Compliant
Yes
Packages
AG-ECONO2-1
Ic (max)
40.0 A
Vce(sat) (typ)
1.8 V
Technology
IGBT3
Housing
EconoPIM™ 2
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
FP40R12KE3
Manufacturer:
FUJI
Quantity:
165
Part Number:
FP40R12KE3
Quantity:
112
Part Number:
FP40R12KE3G
Manufacturer:
INFINEON
Quantity:
210
Part Number:
FP40R12KE3G
Manufacturer:
SEMIKRON
Quantity:
726
Part Number:
FP40R12KE3G
Quantity:
113
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert proChip
Forward current RMS maximum per Chip
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
IGBT-Module
IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Technische Information / Technical Information
2
2
t - value
t - value
T
T
T
t
t
t
t
T
Tc = 80 °C
T
t
T
t
V
T
T
T
t
T
t
date of publication:23.04.2002
revision: 2
FP40R12KE3
P
P
P
P
P
P
P
P
vj
C
C
vj
C
C
vj
C
C
C
R
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 1 ms,
= 1 ms
= 1 ms, T
= 1 ms
= 25°C
= 25°C
= 25°C
= 80°C
= 80°C
= 25°C
= 25 °C
= 25°C
= 80 °C
= 25 °C
= 0V, t
p
= 10ms, T
C
= 80°C
vj
vj
vj
vj
=
= 150°C
=
= 150°C
1(11)
25°C
25°C
vj
= 125°C
T
C
= 80 °C
I
I
RMSmax
I
I
V
FRMSM
V
V
V
V
I
C,nom.
I
I
C,nom.
I
I
P
P
FSM
CRM
FRM
CRM
FRM
I
I
RRM
I
I
CES
GES
I
CES
GES
I
2
2
C
F
C
F
tot
tot
t
t
+/- 20V
+/- 20V
1600
1200
1200
315
260
500
340
200
320
100
60
50
40
55
80
40
80
15
25
30
10
20
DB-PIM-IGBT3_2Serie.xls
A
A
A
W
W
V
A
A
A
A
V
A
A
A
V
A
A
V
A
A
A
V
A
A
2
2
2
s
s
s

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FP40R12KE3 Summary of contents

Page 1

... Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current prepared by: Andreas Schulz approved by: Robert Severin FP40R12KE3 T = 25° 80° 80° ms 25°C ...

Page 2

... Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data FP40R12KE3 RMS Hz min. NTC connected to Baseplate T = 150° 150° ...

Page 3

... Switching losses and conditions Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Durchlaßspannung forward voltage Schaltverluste und -bedingungen Switching losses and conditions NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor Nennwiderstand rated resistance Abweichung von R 100 deviation of R 100 Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value FP40R12KE3 T = 25° 0V 25° 0V 125°C, I ...

Page 4

... Gewicht weight Luftstrecke clearance Kriechstrecke creeping distance Transiente Thermische Eigenschaften / Transient Thermal properties FP40R12KE3 Gleichr. Diode/ Rectif. Diode Trans. Wechsr./ Trans. Inverter Diode Wechsr./ Diode Inverter Trans. Bremse/ Trans. Brake Diode Bremse/ Diode Brake Gleichr. Diode/ Rectif. Diode =1W/m*K Paste Trans ...

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... IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) Output characteristic Inverter (typical Tvj = 25°C 60 Tvj = 125° 0,5 1 Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) Output characteristic Inverter (typical) 80 Vge=19V Vge=17V 70 Vge=15V Vge=13V 60 Vge=11V Vge= 0,5 1 FP40R12KE3 1 125°C vj 1 [V] CE 5(11 3 3,5 4 ...

Page 6

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch) Transfer characteristic Inverter (typical Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) Forward characteristic of FWD Inverter (typical Tvj = 25°C 60 Tvj = 125° 0,5 FP40R12KE3 Tvj=25°C Tvj=125° [ 1 [V] F 6(11 2,5 3 DB-PIM-IGBT3_2Serie.xls ...

Page 7

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical Eon Eoff 12 Erec Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical Eon 7 Eoff Erec FP40R12KE3 off 125° ± [ off T = 125° +- 7(11 600 V rec Ohm Gon Goff 60 70 ...

Page 8

... Transient thermal impedance Inverter 1 Zth-IGBT Zth-FWD 0,1 0,01 0,001 0,01 Sicherer Arbeitsbereich IGBT-Wechselr. (RBSOA) Reverse bias save operating area (RBSOA IC,Modul 60 IC,Chip 200 FP40R12KE3 Z thJC Ri und ti-Werte siehe and ti-Values see P. 4 0 15V 400 600 800 V [V] CE 8(11 ( 125°C j 1000 1200 1400 DB-PIM-IGBT3_2Serie ...

Page 9

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical Tvj = 25°C Tvj = 125° 0,5 1 Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) I Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical 0,5 1 FP40R12KE3 1 [V] CE Tvj = 25°C Tvj = 125°C 1,5 2 2,5 V [V] F 9(11 3,5 4 4,5 5 ...

Page 10

... IGBT-Modules Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) Forward characteristic of Rectifier Diode (typical 0,2 0,4 NTC- Temperaturkennlinie (typisch) NTC- temperature characteristic (typical) 100000 10000 1000 100 FP40R12KE3 I F Tvj = 25°C Tvj = 150°C 0,6 0,8 1 1 (T) Rtyp 60 80 100 T [°C] C 10(11 1,4 ...

Page 11

... Gehäuseabmessungen/ Package outlines Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. FP40R12KE3 ...

Page 12

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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