BSM200GA170DN2S Infineon Technologies, BSM200GA170DN2S Datasheet
BSM200GA170DN2S
Specifications of BSM200GA170DN2S
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BSM200GA170DN2S Summary of contents
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BSM 200 GA 170 DN2 IGBT Power Module • Single switch • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate • 6.8 Ohm G on,min Type BSM 200 GA 170 DN2 BSM 200 GA 170 ...
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BSM 200 GA 170 DN2 Electrical Characteristics Parameter Static Characteristics Gate threshold voltage CE, C Collector-emitter saturation voltage 200 ...
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BSM 200 GA 170 DN2 Electrical Characteristics Parameter Switching Characteristics, Inductive Load at T Turn-on delay time V = 1200 6.8 Gon Rise time V = 1200 V, ...
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BSM 200 GA 170 DN2 Power dissipation = ( tot C parameter: T 150 °C j 1800 W P 1400 tot 1200 1000 800 600 400 200 Collector current = (T ) ...
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BSM 200 GA 170 DN2 Typ. output characteristics parameter µ ° 400 A 17V 15V I 13V C 300 11V 9V 7V 250 200 150 ...
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BSM 200 GA 170 DN2 Typ. gate charge = ( Gate parameter 200 A C puls 800 0.0 0.4 0.8 1.2 ...
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BSM 200 GA 170 DN2 Typ. switching time inductive load , T = 125° par 1200 ± ...
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BSM 200 GA 170 DN2 Forward characteristics of fast recovery I = f(V ) reverse diode F F parameter 400 300 250 200 150 100 50 0 0.0 0.5 1.0 1.5 Transient thermal impedance Z ...
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BSM 200 GA 170 DN2 Package Outlines Dimensions in mm Weight: 420 g Circuit Diagram 9 Oct-27-1997 ...
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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...