BSM10GP120 Infineon Technologies, BSM10GP120 Datasheet

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BSM10GP120

Manufacturer Part Number
BSM10GP120
Description
IGBT Modules 1200V 10A PIM
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of BSM10GP120

Configuration
Hex
Channel Type
N
Collector-emitter Voltage
1.2kV
Gate To Emitter Voltage (max)
±20V
Pin Count
24
Mounting
Screw
Operating Temperature (min)
-40C
Operating Temperature (max)
125C
Operating Temperature Classification
Automotive
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
1200 V
Collector-emitter Saturation Voltage
2.4 V
Continuous Collector Current At 25 C
20 A
Gate-emitter Leakage Current
300 nA
Power Dissipation
100 W
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Maximum Gate Emitter Voltage
+/- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Package / Case
EconoPIM2
Lead Free Status / RoHS Status
Compliant
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant, Compliant

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
BSM10GP120
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
25
Part Number:
BSM10GP120
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
300
Part Number:
BSM10GP120
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Part Number:
BSM10GP120
Quantity:
50
Part Number:
BSM10GP120-B9
Manufacturer:
ST
Quantity:
726
Part Number:
BSM10GP120DN2E
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
726
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert
RMS forward current per chip
Dauergleichstrom
DC forward current
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
prepared by: Andreas Schulz
approved by: M.Hierholzer
IGBT-Module
IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Technische Information / Technical Information
2
2
t - value
t - value
T
t
t
t
t
Tc = 80 °C
T
t
T
Tc = 80 °C
t
V
T
T
t
T
Tc = 80 °C
t
date of publication:17.09.1999
BSM10GP120
P
P
P
P
P
P
P
P
C
C
C
C
C
C
R
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 1 ms,
= 1 ms
= 1 ms, T
= 1 ms
= 25°C
= 25°C
= 80°C
= 25 °C
= 80 °C
= 25 °C
= 0V, t
p
= 10ms, T
C
= 80°C
revision: 5
vj
vj
vj
vj
=
= 150°C
=
= 150°C
1(11)
25°C
25°C
vj
= 125°C
T
C
= 80 °C
I
I
I
V
FRMSM
V
V
V
V
I
C,nom.
I
I
C,nom.
I
I
P
P
FSM
CRM
FRM
CRM
FRM
I
I
RRM
I
I
I
CES
GES
I
CES
GES
I
2
2
C
F
C
F
d
tot
tot
t
t
+/- 20V
+/- 20V
1600
1200
1200
300
230
450
260
100
100
40
10
10
20
20
10
20
18
10
20
20
10
20
DB-PIM-9.xls
A
A
A
W
W
V
A
A
A
A
V
A
A
A
V
A
A
V
A
A
A
V
A
A
2
2
2
s
s
s

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BSM10GP120 Summary of contents

Page 1

... DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current prepared by: Andreas Schulz approved by: M.Hierholzer BSM10GP120 T = 80° ms 25° ms 150°C P ...

Page 2

... Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data BSM10GP120 RMS Hz min. NTC connected to Baseplate T = 150° 150° ...

Page 3

... Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Durchlaßspannung forward voltage NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor Nennwiderstand rated resistance Abweichung von R 100 deviation of R 100 Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value BSM10GP120 T = 25° 0V 25° 0V 125° ...

Page 4

... Innere Isolation internal insulation CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Gewicht weight BSM10GP120 Gleichr. Diode/ Rectif. Diode Trans. Wechsr./ Trans. Inverter Diode Wechsr./ Diode Inverter Trans. Bremse/ Trans. Brake Diode Bremse/ Diode Brake Gleichr. Diode/ Rectif. Diode =1W/m*K Paste Trans ...

Page 5

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Page 7

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical) 4 3,5 Eon Eoff 3 Erec 2,5 2 1 Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical) 1,6 Eon 1,4 Eoff Erec 1,2 1 0,8 0,6 0,4 0 BSM10GP120 off T = 125° ± [ off T = 125° +- ...

Page 8

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Wechselr. Transient thermal impedance Inverter 10 Zth-IGBT Zth-FWD 1 0,1 0,001 0,01 Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA) Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA 200 BSM10GP120 Z thJC 0 IC,Modul IC,Chip 400 600 800 V [V] CE 8(11 ( Ohm = 125° ...

Page 9

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical 25° 125° 0,5 1 Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical 0,5 BSM10GP120 1 25° 125° [V] F 9(11 3 2,5 3 DB-PIM-9.xls ...

Page 10

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Page 11

... Gehäuseabmessungen/ Package outlines Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. BSM10GP120 ...

Page 12

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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