D770N Infineon Technologies, D770N Datasheet
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D770N
Specifications of D770N
Related parts for D770N
D770N Summary of contents
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... Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature prepared by: H.Sandmann approved by: M.Leifeld IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann D770N T = -40°C... max T = 100 ° °C, θ = 180°sin ° ...
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... Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann D770N Mechanische Eigenschaften 10/10 Seite 3 ...
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... N Datenblatt / Data sheet Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode Maßbild Maßbild 1 IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann D770N 1: Anode Kathode/ A 10/10 Anode Cathode Seite/page 3/8 ...
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... Analytische Funktion / Analytical function: 0,14 0,12 0,10 0,08 0,06 0,04 0,02 0,00 0,001 0,01 Transienter innerer Wärmewiderstand fü Transient thermal impedance for DC IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann D770N 0,00359 0,00447 0,00156 0,01010 0,00359 0,00447 0,00156 0,01010 0,00359 0,00447 0,00156 0,01010 0 f(t) thJC a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling b - Beidseitige Kü ...
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... Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann D770N ∆Z / ∆Z th Θ rec th Θ sin Θ = 180° Θ = 120° 0,00901 0,01554 0,00361 0,00598 0,00448 0,00759 0,00334 0,00489 0,00448 ...
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... Durchlassverlustleistung / On-state power loss P 180 160 140 120 100 100 200 Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann D770N Durchlassverluste 300 400 500 I [A] FAV Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Tc beidseitig ...
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... Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V Typical dependency of maximum overload on-state current I sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann D770N Qr Diagramm 1 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q =f(-di/dt ≤ 0,5 V ...
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... If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann D770N A 10/10 Seite/page 8/8 ...