PBSS4320X Philips Semiconductors, PBSS4320X Datasheet - Page 8

• Manufacturer Part Number: PBSS4320X
• Description: 20 V / 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
2004 Nov 03
handbook, halfpage
handbook, halfpage
20 V, 3 A
NPN low V
V CEsat
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.6
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.8
C
CE
(V)
/I
h FE
B
10
10
10
800
600
400
200
= 2 V.
= 20.
amb
amb
amb
amb
amb
amb
0
10
1
10
1
2
3
= 100 C.
= 25 C.
= 55 C.
1
= 100 C.
= 25 C.
= 55 C.
1
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
1
CEsat
10
10
(1)
(2)
(3)
(BISS) transistor
10
10
2
2
10
10
(1)
(3)
I C (mA)
3
3
I C (mA)
MLE383
MLE377
(2)
10
10
4
4
8
handbook, halfpage
handbook, halfpage
V CEsat
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.7
T
(1) I
(2) I
(3) I
Fig.9
CE
amb
(V)
V BE
10
10
10
(V)
1.2
= 2 V.
0 8
0 4
C
C
C
= 25 C.
amb
amb
amb
10
0
1
/I
/I
/I
1
2
3
10
B
B
B
= 100.
= 50.
= 10.
= 55 C.
= 25 C.
= 100 C.
1
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
1
1
10
10
(1)
(2)
(3)
10
10
(1)
(2)
(3)
2
2
PBSS4320X
Product specification
10
10
3
I C (mA)
3
I C (mA)
MLE381
MLE384
10
10
4
4