PBSS4420D Philips Semiconductors, PBSS4420D Datasheet - Page 8
PBSS4420D
Manufacturer Part Number
PBSS4420D
Description
NPN low VCEsat (BISS) transistor
Manufacturer
Philips Semiconductors
Datasheet
1.PBSS4420D.pdf
(16 pages)
Philips Semiconductors
9397 750 14028
Product data sheet
Fig 5. DC current gain as a function of collector
Fig 7. Collector-emitter saturation voltage as a
V
(1) T
(2) T
(3) T
(1) T
(2) T
(3) T
h
CEsat
(V)
1000
10
10
10
FE
800
600
400
200
1.0
10
0
10
1
2
3
10
V
current; typical values
I
function of collector current; typical values
C
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
/I
1
1
B
= 2 V
= 20
= 100 C
= 25 C
= 55 C
= 100 C
= 25 C
= 55 C
1
1
(1)
(2)
(3)
10
10
10
10
2
(1)
(2)
(3)
2
10
10
3
3
10
10
006aaa328
006aaa330
I
I
4
4
C
C
(mA)
(mA)
10
10
Rev. 01 — 21 April 2005
5
5
Fig 6. Base-emitter voltage as a function of collector
Fig 8. Collector-emitter saturation voltage as a
V
(mV)
(1) T
(2) T
(3) T
(1) I
(2) I
(3) I
V
CEsat
(V)
10
10
10
BE
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
10
0
1
10
1
2
3
10
V
current; typical values
T
function of collector current; typical values
C
C
C
amb
amb
amb
amb
CE
/I
/I
/I
1
1
B
B
B
20 V, 4 A NPN low V
= 2 V
= 100
= 50
= 10
= 55 C
= 25 C
= 100 C
= 25 C
1
1
(1)
(2)
(3)
10
10
(1)
(2)
(3)
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
10
10
2
2
PBSS4420D
CEsat
10
10
3
3
(BISS) transistor
10
10
006aaa329
006aaa331
I
I
4
4
C
C
(mA)
(mA)
10
10
5
5
8 of 16