BSM50GP120 Infineon Technologies, BSM50GP120 Datasheet

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BSM50GP120

Manufacturer Part Number
BSM50GP120
Description
IGBT Modules 1200V 50A PIM
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of BSM50GP120

Configuration
Hex
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
1200 V
Collector-emitter Saturation Voltage
2.5 V
Continuous Collector Current At 25 C
80 A
Gate-emitter Leakage Current
300 nA
Power Dissipation
360 W
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Maximum Gate Emitter Voltage
+/- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Package / Case
EconoPIM3
Channel Type
N
Collector-emitter Voltage
1.2kV
Collector Current (dc) (max)
80A
Gate To Emitter Voltage (max)
±20V
Pin Count
24
Mounting
Screw
Operating Temperature (min)
-40C
Operating Temperature (max)
125C
Operating Temperature Classification
Automotive
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
BSM50GP120
Manufacturer:
NICHICON
Quantity:
30 000
Part Number:
BSM50GP120
Manufacturer:
Infineon Technologies
Quantity:
135
Part Number:
BSM50GP120
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
25
Part Number:
BSM50GP120
Quantity:
10 000
IGBT-Module
IGBT-Modules
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert
RMS forward current per chip
Dauergleichstrom
DC forward current
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
Technische Information / Technical Information
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
2
2
t - value
t - value
T
t
t
t
t
Tc = 80 °C
T
t
T
Tc = 80 °C
t
V
T
T
t
T
Tc = 80 °C
t
date of publication:12.06.2003
revision: 6
BSM50GP120
P
P
P
P
P
P
P
P
C
C
C
C
C
C
R
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 1 ms,
= 1 ms
= 1 ms, T
= 1 ms
= 25°C
= 25°C
= 80°C
= 25 °C
= 80 °C
= 25 °C
= 0V, t
p
= 10ms, T
C
= 80°C
vj
vj
vj
vj
=
= 150°C
=
= 150°C
1(11)
25°C
25°C
vj
= 125°C
T
C
= 80 °C
I
I
I
V
FRMSM
V
V
V
V
C,nom.
I
C,nom.
I
I
I
I
P
P
CRM
CRM
FSM
FRM
FRM
I
I
RRM
I
I
I
CES
GES
I
CES
GES
I
2
2
C
F
C
F
d
tot
tot
t
t
+/- 20V
+/- 20V
1.200
1600
1250
1200
1200
500
400
800
100
360
100
230
40
50
50
80
50
25
45
50
15
30
DB-PIM-10.xls
A
A
A
W
W
V
A
A
A
A
V
A
A
A
V
A
A
V
A
A
A
V
A
A
2
2
2
s
s
s

BSM50GP120 Summary of contents

Page 1

... Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current prepared by: Andreas Schulz approved by: Robert Severin BSM50GP120 T = 80° ms 25° ms 150°C ...

Page 2

... Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data BSM50GP120 RMS Hz min. NTC connected to Baseplate T = 150° 150° ...

Page 3

... Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Durchlaßspannung forward voltage NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor Nennwiderstand rated resistance Abweichung von R 100 deviation of R 100 Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value BSM50GP120 T = 25° 0V 25° 0V 125° ...

Page 4

... Innere Isolation internal insulation CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Gewicht weight BSM50GP120 Gleichr. Diode/ Rectif. Diode Trans. Wechsr./ Trans. Inverter Diode Wechsr./ Diode Inverter Trans. Bremse/ Trans. Brake Diode Bremse/ Diode Brake Gleichr. Diode/ Rectif. Diode l =1W/m*K Paste Trans ...

Page 5

... IGBT-Modules Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) Output characteristic Inverter (typical) 100 0,5 1 Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) Output characteristic Inverter (typical) 100 90 VGE = 17V VGE = 15V 80 VGE = 13V VGE = 11V 70 VGE = 0,5 1 BSM50GP120 25° 125°C 1 125°C vj 1 [V] CE 5(11 3 ...

Page 6

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch) Transfer characteristic Inverter (typical) 100 Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) Forward characteristic of FWD Inverter (typical) 100 0,5 BSM50GP120 25° 125° [ 25° 125°C 1 1,5 V [V] F 6(11 2,5 DB-PIM-10.xls ...

Page 7

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical Eon 14 Eoff Erec Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical Eon Eoff 8 Erec BSM50GP120 off T = 125° ± [ off T = 125° +- [W] G 7(11 600 V C rec Ohm Gon ...

Page 8

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Wechselr. Transient thermal impedance Inverter 1 Zth-IGBT Zth-FWD 0,1 0,01 0,001 0,01 Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA) Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA) 120 100 200 BSM50GP120 Z thJC 0 IC,Modul IC,Chip 400 600 800 V [V] CE 8(11 ( ...

Page 9

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical 25° 125° 0,5 1 Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical 0,5 BSM50GP120 1,5 2 2 25° 125° [V] F 9(11 3 2,5 3 DB-PIM-10.xls ...

Page 10

... IGBT-Module IGBT-Modules Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) Forward characteristic of Rectifier Diode (typical) 100 0,2 NTC- Temperaturkennlinie (typisch) NTC- temperature characteristic (typical) 100000 10000 1000 100 BSM50GP120 Tj = 25° 150°C 0,4 0,6 0 (T) Rtyp 60 80 100 T [°C] C 10(11 1,2 1,4 ...

Page 11

... Gehäuseabmessungen/ Package outlines Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. BSM50GP120 ...

Page 12

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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