BC618 ON Semiconductor, BC618 Datasheet - Page 329

• Manufacturer Part Number: BC618
• Description: TRANSISTOR DARL NPN 55V TO-92
• Manufacturer: ON Semiconductor

Specifications of BC618

• Transistor Type: NPN - Darlington
• Current - Collector (ic) (max): 1A
• Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 55V
• Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 200µA, 200mA
• Current - Collector Cutoff (max): 50nA
• Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 10000 @ 200mA, 5V
• Power - Max: 625mW
• Frequency - Transition: 150MHz
• Mounting Type: Through Hole
• Package / Case: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
• Lead Free Status / RoHS Status: Contains lead / RoHS non-compliant
• Other names: BC618OS

Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á
ON Semiconductor Selector Guide − Thyristors
SURGE SUPPRESSORS (continued)
HIGH CURRENT TSPD
TRIGGERS
THYRISTOR TRIGGERS
TRANSISTOR TRIGGERS
12. See TO−92 data sheets for device suffix packaging ordering options.
Current IT
On−State RMS
R
(mA Max)
G
NP0720SDMC
NP1100SDMC
NP1300SDMC
NP1500SDMC
NP1800SDMC
NP3100SDMC
CASE 403C
= 10 kW
5.0
1.0
I
P
(A).
Device
0.9
1.0
SMB
(RMS)
R
(mA Max)
G
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
0.15
MKP1V120
MKP1V130
MKP1V160
MKP1V240
= 1 MW
Case 059A
2.0
DO−41
Voltage (V)
Offstate
V
170
275
DRM
58
65
75
90
Base
Emitter
(TO226AA)
TO−92
Case 029
2N6027
2N6028
Style 2
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Surmetic 50
Collector
MKP3V120
MKP3V240
Case 267
Style 2
V
(12)
BO
Voltage (V)
Breakover
130
220
350
77
88
98
R
(mA Max)
G
Range Breakover
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
= 10 kW
70
25
IV
http://onsemi.com
Voltage V
120−140
150−170
220−250
220−250
110−130
110−130
Surge Current Rating
I
PPS
(V)
= 10 x 1000 ms
BO
328
200
(A)
R
(mA Max)
G
= 1 MW
50
25
Current 60 Hz
I
TSM
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
(A)
20
Surge
4
C
Capacitance
o
The only transistors in the Thyristor portolio. Similar to
unijuction transistors, except that IP, IV, and intrisic
voltage are programmable (adjustable) by means of ex-
ternal voltage divider. Used primarily to trigger SCR and
Triac gates,
, 2 V, 1 Mhz
Max
(pF)
65
High voltage trigger devices (used primarily to
trigger SCRs and Triacs gates) similar in opera-
tion to treiacs. Upon reaching the breakover
voltage in either direction, the devices switch to a
low voltage on state.
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
The NP−SDMC series of High Current
Thyristor Surge ProtectionDevices
(TSPD) protect sensitive electronic
equipment from transient overvoltage
conditions. The high current withstand of
these devices offer protection in extreme
environments and provide a solution for
GR−1089 balanced “Y” configurations.
General Description
General Description
General Description