K4S161622D-TI/E10 Samsung semiconductor, K4S161622D-TI/E10 Datasheet - Page 17

no-image

K4S161622D-TI/E10

Manufacturer Part Number
K4S161622D-TI/E10
Description
1M x 16 SDRAM
Manufacturer
Samsung semiconductor
Datasheet
K4S161622D-TI/E
4. CAS Interrupt (II) : Read Interrupted by Write & DQM
*Note : 1. To prevent bus contention, there should be at least one gap between data in and data out.
(b) CL=3, BL=4
(a) CL=2, BL=4
iv) CMD
i) CMD
ii) CMD
iii) CMD
iv) CMD
i) CMD
ii) CMD
iii) CMD
iii) CMD
DQM
DQM
DQM
DQM
DQM
DQM
DQM
DQM
DQM
CLK
CLK
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
RD
RD
RD
RD
RD
RD
RD
RD
RD
WR
D
WR
D
Hi-Z
0
0
WR
Hi-Z
WR
D
D
Q
D
D
1
0
0
1
0
Note 1
WR
WR
Hi-Z
Q
D
Hi-Z
D
D
D
D
D
0
0
2
1
0
2
1
Note 1
Hi-Z
WR
WR
D
D
D
D
D
D
D
D
3
2
1
0
3
2
0
1
WR
D
D
D
D
D
D
D
3
2
3
0
1
2
1
D
D
D
D
D
3
2
3
2
1
D
D
D
3
3
2
D
3
CMOS SDRAM
Rev 1.2 Jan '03

Related parts for K4S161622D-TI/E10