PUMD3T/R NXP Semiconductors, PUMD3T/R Datasheet - Page 6

• Manufacturer Part Number: PUMD3T/R
• Description: Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R
• Manufacturer: NXP Semiconductors
• Type: NPN|PNPr

Specifications of PUMD3T/R

• Package: 6SOT-363
• Configuration: Dual
• Minimum Dc Current Gain: 30@5mA@5V
• Peak Dc Collector Current: 100 mA
• Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: 0.15@0.5mA@10mA V
• Maximum Collector Emitter Voltage: 50 V
• Maximum Processing Temperature: 260 °C

NXP Semiconductors
PEMD3_PIMD3_PUMD3_10
Product data sheet
Fig 5.
Fig 7.
V
h
−10
(V)
I(on)
−10
−10
−10
(1) T
(2) T
(3) T
(1) T
(2) T
(3) T
FE
−10
−10
−1
−1
−10
−1
−10
3
2
2
V
TR2 (PNP): DC current gain as a function of
collector current; typical values
V
TR2 (PNP): On-state input voltage as a
function of collector current; typical values
−1
−1
CE
amb
amb
amb
CE
amb
amb
amb
= −5 V
= −0.3 V
= 150 °C
= 25 °C
= −40 °C
= −40 °C
= 25 °C
= 100 °C
−1
−1
(1)
(3)
(2)
−10
−10
(1)
(3)
I
I
(2)
C
C
006aaa046
(mA)
006aaa048
(mA)
Rev. 10 — 15 November 2009
−10
−10
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ
2
2
Fig 6.
Fig 8.
V
V
−10
−10
−10
CEsat
PEMD3; PIMD3; PUMD3
(V)
(V)
I(off)
(1) T
(2) T
(3) T
(1) T
(2) T
(3) T
−10
−1
−1
−10
−1
−2
−1
−1
I
TR2 (PNP): Collector-emitter voltage as a
function of collector current; typical values
V
TR2 (PNP): Off-state input voltage as a
function of collector current; typical values
C
−2
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
/I
B
= −5 V
= 20
= 100 °C
= 25 °C
= −40 °C
= −40 °C
= 25 °C
= 100 °C
−10
−1
(1)
(2)
(3)
−10
(1)
(3)
−1
(2)
I
C
(mA)
I
© NXP B.V. 2009. All rights reserved.
C
006aaa047
006aaa049
(mA)
−10
−10
2
6 of 11