FF800R12KE3 Infineon Technologies, FF800R12KE3 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: FF800R12KE3
• Description: IGBT Modules 1200V 800A DUAL
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of FF800R12KE3

• Configuration: Dual
• Channel Type: N
• Collector-emitter Voltage: 1.2kV
• Gate To Emitter Voltage (max): ±20V
• Mounting: Screw
• Operating Temperature (min): -40C
• Operating Temperature (max): 125C
• Operating Temperature Classification: Automotive
• Collector- Emitter Voltage Vceo Max: 1200 V
• Collector-emitter Saturation Voltage: 1.7 V
• Continuous Collector Current At 25 C: 1200 A
• Gate-emitter Leakage Current: 400 nA
• Power Dissipation: 3.9 KW
• Maximum Operating Temperature: + 125 C
• Maximum Gate Emitter Voltage: +/- 20 V
• Minimum Operating Temperature: - 40 C
• Mounting Style: Screw
• Package / Case: IHM130
• Ic (max): 800.0 A
• Vce(sat) (typ): 1.7 V
• Technology: IGBT3
• Housing: IHM 130 mm
• Lead Free Status / RoHS Status: Compliant

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemp.
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
IGBT-Module
IGBT-Modules
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid
with the belonging technical notes.
Technische Information / technical information
Transistor, DC, pro Modul / per module
Transistor, DC, pro Zweig / per arm
Diode/Diode, DC, pro Modul / per module
Diode/Diode, DC, pro Zweig / per arm
pro Modul / per module
pro Zweig/ per arm; l
Schraube / screw M5
Anschlüsse / terminal M4
Anschlüsse / terminal M8
FF800R12KE3
3 (8)
Paste
/l
grease
=1W/m*K
T
R
R
T
T
vj max
M
M
M
thCK
vj op
G
thJC
stg
vorläufige Daten
preliminary data
min.
4,25
-40
-40
1,7
8
-
-
-
-
-
-
-
DB_FF800R12KE3_2.0.xls
0,006
0,012
Al
>400
1500
typ.
32
20
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
O
3
0,016
0,032
0,032
0,064
max.
5,75
150
125
125
2,3
10
2002-07-30
-
-
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
mm
mm
Nm
Nm
Nm
°C
°C
°C
g