BSM15GD120DLCE3224 Infineon Technologies, BSM15GD120DLCE3224 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: BSM15GD120DLCE3224
• Description: IGBT Modules N-CH 1.2KV 35A
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of BSM15GD120DLCE3224

• Configuration: Hex
• Collector- Emitter Voltage Vceo Max: 1200 V
• Collector-emitter Saturation Voltage: 2.1 V
• Continuous Collector Current At 25 C: 35 A
• Gate-emitter Leakage Current: 400 nA
• Power Dissipation: 145 W
• Maximum Operating Temperature: + 125 C
• Maximum Gate Emitter Voltage: +/- 20 V
• Minimum Operating Temperature: - 40 C
• Mounting Style: Screw
• Package / Case: EconoPACK 2A

IGBT-Module
IGBT-Modules
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Technische Information / Technical Information
Transistor / transistor, DC
Diode/Diode, DC
pro Modul / per module
BSM15GD120DLC E3224
Paste
= 1 W/m * K /
terminals M5
3(8)
grease
= 1 W/m * K
R
R
T
T
M1
M2
T
G
thJC
thCK
op
stg
vj
min.
-40
-40
Seriendatenblatt_BSM15GD120DLC-E3224.xls
3
-
-
-
-
AL
typ.
0,02
225
180
-
-
-
-
-
2
O
3
max.
0,86
1,50
150
125
150
6
-
K/W
K/W
K/W
Nm
Nm
°C
°C
°C
g