BSM50GD60DLCE3226 Infineon Technologies, BSM50GD60DLCE3226 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: BSM50GD60DLCE3226
• Description: IGBT Modules N-CH 600V 70A
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of BSM50GD60DLCE3226

• Configuration: Hex
• Collector- Emitter Voltage Vceo Max: 600 V
• Collector-emitter Saturation Voltage: 2.2 V
• Continuous Collector Current At 25 C: 70 A
• Gate-emitter Leakage Current: 400 nA
• Power Dissipation: 250 W
• Maximum Operating Temperature: + 125 C
• Maximum Gate Emitter Voltage: +/- 20 V
• Minimum Operating Temperature: - 40 C
• Mounting Style: Screw
• Package / Case: EconoPACK 2A

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Gewicht
weight
IGBT-Module
IGBT-Modules
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
Technische Information / Technical Information
Transistor / transistor, DC
Diode / diode, DC
pro Modul / per module
BSM 50 GD 60 DLC E3226
Paste
= 1W/m*K /
3 (8)
grease
= 1W/m*K
R
R
T
T
T
M
G
thJC
thCK
stg
op
vj
min.
-15
-40
-40
-
-
-
-
BSM 50 GD 60 DLC E3226
Al
typ.
0,02
225
180
2
4
-
-
-
-
-
O
3
max.
0,50
0,80
150
125
125
+15
-
K/W
K/W
K/W
Nm
°C
°C
°C
%
g